软银与英特尔携手打造新型节能 AI 内存芯片，电力消耗或减半

近日，软银与英特尔联合开发了一款全新的 AI 专用内存芯片，旨在大幅降低电力消耗，以便为日本的 AI 基础设施提供更为高效的支持。双方合作目标是设计一种新型堆叠式 DRAM 芯片，其布线方式不同于目前流行的高带宽内存（HBM），预期可以将电力消耗降低约50%。新公司 Saimemory 负责芯片的设计和专利管理，制造将外包。Saimemory 计划在两年内完成原型开发，目标在21世纪20年代商业化，项目预计投资100亿日元（约合5亿元人民币）。软银是主要投资者。日本理化学研究所与神港精机也在考虑参与。软银期望这款新型内存芯片能广泛应用于其 AI 训练数据中心，以更低成本支持高质量数据中心。