战略突破：三菱电机以匠人心态引领功率半导体技术革新

在2025年PCIM Asia展会上，三菱电机展示了其前沿功率半导体产品，彰显了其行业领导地位。媒体发布会与业务概况三菱电机于2025年9月24日举办媒体发布会，介绍了其半导体业务概况和技术路线图。作为一家深耕半导体领域69年的企业，三菱电机在电力设备、工业自动化等市场占据重要地位。* 财务表现：2025财年（至2025年3月），公司实现创纪录的营收55217亿日元和营业利润3918亿日元。半导体业务营收为2863亿日元。* 战略投资：公司正在熊本县建设的八英寸SiC晶圆新工厂计划于2025年11月投产，福冈县的模块封装与测试新工厂计划于2026年10月投产。技术路线：硅与碳化硅双轨并行三菱电机坚持硅基IGBT与碳化硅基MOSFET的协同发展策略。* 硅基IGBT：已发展至第8代，通过CSTBT™等技术显著降低损耗。* 碳化硅(SiC)技术：已推出第4代沟槽栅SiC-MOSFET，比导通电阻降低50%以上，并计划每两年推出一代新品。公司还通过SBD嵌入式结构等方案解决了双极性退化问题。新品亮点三菱电机发布了多款针对不同应用的最新功率模块：* Compact DIPIPM™：为变频家电设计，封装尺寸缩减至Mini DIPIPM的53%。* SiC SLIMDIP™：面向住宅空调，提供全SiC和SiC辅助方案，大幅降低功率损耗。* 第8代IGBT LV100模块：功率密度提升，输出功率提升25%，适用于光伏与风电逆变器。* J3系列SiC功率模块：专为电动汽车主驱逆变器设计，可灵活满足150-300kW主驱需求。* Unifull™系列SBD嵌入式SiC模块：面向高压输电应用，芯片面积缩减54%，开关损耗降低58%。未来展望三菱电机将持续加大对SiC等宽禁带技术的投入，通过产能扩张和技术迭代，推动行业向高效、绿色方向发展，助力全球能源转型。